首批香港博士奖学金获得者
研究领域：下一代高效率能量转换系统中的GaN半导体器件核心技术及物理机理。GaN，即氮化镓，属于第三代半导体材料。这项技术，可以极大提高电能转换效率，从而达到节能减排的效果，是目前先进国家及企业重点投入的半导体关键技术。
研究成果：已在TED、EDL、IEDM、APL等国际顶级期刊及会议发表论文60余篇，研究成果目前已被工业界杂志如《Compound Semiconductor》、《Semiconductor Today》等广泛引用。杨树作为第一作者的研究成果，被包括美国工程院院士、欧洲科学院院士、英国皇家工程院院士、中国科学院院士等以及多家国际领先半导体公司多次引用和正面评价。
人物评价：
1.杨树平时与老师们的交流也主要集中在学术领域，在印象里杨树是一个很积极的学生，自己交给她的任务都能非常独立的完成，对于杨树能取得如此优异的成绩并不意外。因为她在博士期间的学术表现很亮眼，发表的文章档次、水平都很高。
2.杨树具有极为出色的理解能力和物理直觉，思维缜密，基础扎实。在导师及博士后的指导下非常快速地找到问题的核心。
